40年进步50万倍！三星发布首款32Gb DDR5内存芯片

2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)工艺技术开发出了最大容量的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：第五代双数据速率同步动态随机存取存储器）。这是三星继2023年5月开始量产12nm级16Gb DDR5 DRAM之后的又一成果。这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域的地位，开启了大容量内存时代的新篇章。

“基于三星最新的12nm级32Gb内存，我们可以开发实现1TB内存模块的解决方案，这将有助于满足人工智能和大数据时代对大容量DRAM内存不断增长的需求。”执行副总裁SangJoon Hwang三星电子内存部门内存开发组总裁表示：“我们将继续通过差异化工艺和设计技术开发内存解决方案，突破内存技术瓶颈。”

自1983 年三星开发出第一款64 KB 内存以来，在过去40 年里，内存容量增加了500,000 倍。新开发的32Gb DDR5内存颗粒采用尖端工艺技术，提高集成密度并优化封装设计。与DDR5 16Gb颗粒相比，三星单芯片DRAM内存颗粒在相同封装尺寸下容量增加了一倍。

特别是，过去使用16Gb内存颗粒制造的DDR5 128GB内存模块需要采用硅通孔（TSV）工艺。现在，通过使用新开发的32Gb内存颗粒，可以在不使用硅通孔（TSV）工艺的情况下生产128GB内存模块。与采用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能源效率的企业的首选解决方案。

基于12nm级32Gb DDR5 DRAM，三星计划继续扩大其大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和IT行业的持续增长。通过向采用人工智能和下一代计算等应用的数据中心和客户提供12nm 级32Gb 内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品也将为三星与其他核心行业合作伙伴的长期合作发挥至关重要的作用。

新款12nm级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。