三星预测2030 年将推出1000 层以上的NAND

据东辰网6月30日消息，据韩媒The Elec报道，三星存储业务高管近日参加电子工程师学会2023年夏季会议，表示V-NAND在2030年可堆叠至1000层。

三星预测，V-NAND 的竞争将持续到1000 层以上。三星从2013 年开始采用24 层，在过去10 年里已经发展到了200 层以上。

东辰网注：三星原厂V-NAND的die容量为128Gb（16GB）。通过3D堆叠技术，最多可以堆叠24层裸片，这意味着24层堆叠的总容量将达到384GB。

资料来源：Elec 三星高管表示，因为V-NAND 的存在，它延续了NAND 的历史，是韩国国家创造技术和生态系统的少数成功案例之一。

三星高管表示，要推广1000层NAND技术，就像建造摩天大楼一样，需要考虑倒塌、弯曲、断裂等诸多稳定性问题。此外，还需要克服连接孔加工技术、最小化电池干扰、缩短层高和扩大每层存储容量等挑战。

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