400层堆叠3D NAND闪存临近 东京电子宣布研发新蚀刻技术

感谢东辰网肖战网友的线索传递！东辰网6月12日消息，东京电子（TEL）近日宣布，已开发出一种存储芯片的通孔刻蚀技术，可用于制造超过400层堆叠的3D NAND闪存芯片。据TEL介绍，该技术首次将电刻蚀的应用带入了低温范围，并创造性地发明了一种具有极高刻蚀速率的系统。

图源东京电子具体来说，这项新技术仅需33分钟即可完成10微米深度的高纵横比（东辰网注：纵横比是指在其上形成的图案的深度与宽度之比）晶圆）蚀刻比以前的技术花费的时间要少得多。据TEL介绍，该技术的应用不仅有助于制造更高容量的3D NAND，还能将生产过程中全球变暖的风险降低84%。

图源东京电子TEL通知，研发团队将于6月11日至16日在日本京都举行的2023 VLSI技术与工艺研讨会上发布最新成果和报告。