削减成本 消息称苹果明年A17 Bionic芯片将采用台积电N3E工艺

感谢东辰网网友：肖战华南瓜瓜、吴彦祖传递线索！据东辰网6 月24 日消息，据国外科技媒体MacRumors 报道，苹果今年推出的iPhone 15 Pro 和iPhone 15 Pro Max 均搭载A17 Bionic 处理器，且A17 版本有一个区别：明年将推出：前者采用台积电的N3B工艺，而后者则采用增强型N3E工艺。

与基于5nm工艺的A14、A15和A16芯片相比，苹果此次推出的A17 Bionic首次采用3nm制造工艺。

据报道，iPhone 15 Pro系列使用的A17 Bionic采用N3B工艺，明年推出的机型将全面切换至N3E工艺。

东辰网此前报道称，台积电谈到了3nm基础版（N3B）节点以及3nm增强版（N3E）的一些数据。简单来说，N3E是N3B的稍微“便宜”的版本，可以说在最终芯片上更注重功耗控制而不是性能。对于新的N3E节点，高密度SRAM位单元尺寸没有缩小，仍然是0.021 m，与N5节点的位单元尺寸完全相同。

在IEDM期间，台积电透露N3B的CGP为45nm，是迄今为止披露的最密集的。这领先于Intel 4的50nm CGP、三星4LPP的54nm CGP以及台积电N5的51nm CGP。

N3E 是在N3B 未能满足台积电的性能、功耗和良率目标后开发的。其目的是为了修复N3B的缺点。

第一个大的变化是金属间距的稍微放松。台积电没有在M0、M1 和M2 金属层上使用多重图案化EUV，而是退后一步，改用单一图案化。

在IEDM 期间，台积电透露N3E 的位单元尺寸为0.021 m2，与N5 完全相同。这对SRAM 来说是毁灭性的。由于良率问题，台积电放弃了SRAM 单元尺寸，而不是N3B。

N3B 实现了SRAM 缩放，单元尺寸仅为0.0199m，比之前版本缩小了5%。 N3E 的内存密度（ISO 辅助电路开销）约为31.8 Mib/mm。

相关阅读：

“有消息称，苹果今年预订了台积电近90%的3nm产能，用于iPhone 15 Pro系列A17处理器”

“据悉，台积电不少客户都修改了工艺计划，几乎所有采用4/3nm的客户都有2nm生产计划”