英特尔开发1nm以下关键技术2D芯片技术

Intel在22nm节点率先进入FinFET晶体管时代，并在20A和18A节点采用了RibbonFET和PowerVia两项新技术。稍后，需要改变晶体管结构。英特尔的目标是新型2D TMD材料。

其中，2D是指由单层原子组成的晶体，TMD是过渡金属二硫化物的缩写，包括二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）和二硒化钨（WSe2）等材料。这些新材料可以实现小于1nm的沟槽厚度，同时具有更好的带隙和迁移率，即高性能和低功耗的优点。

制备二维TMD材料并不容易。为此，英特尔最近宣布与欧洲CEA-Leti达成合作协议，在300mm晶圆上开发2D TMD层转移技术。后者是该领域的专家，可以提供专业的键合和层转移技术。转让技术支持，让英特尔能够制造出最终的硅芯片。

这个过程可能需要很多年。英特尔的目标是在2030年后继续扩展摩尔定律，即进一步提高晶体管密度、提高性能、降低成本和功耗。